MEMÒRIES

INICI

El 1969 es va llançar una de les primeres memòries RAM, basades en semiconductors de silici per part de l'Intel, amb l'integrat 3101 de 64 bits de memòria. Més endavant, es va presentar una memòria DRAM de 1024 bytes, referència 1103, com la primera a ser comercialitzada amb èxit.

Definició:

Parts d'un ordinador digital que són capaces de mantenir un cert estat físic durant un període de temps determinat, cosa que fa possible l'emmagatzematge de dades.

Classificació de Memòries:

1.-si es perd la seva informació quan s'interromp l'alimentació elèctrica: Memòria és volàtil

- Classificació de Memòries

Internes o Externes:

2.- Si son internes o externes:

· Internes (allotjada a la placa mare, RAM, ROM,BIOS...)

· Externes (disc durs, DVD...)

Classificació de les memories segons la funció:

1.- La memòria principal. RAM. Tema del NF5

2.- Registres interns del processador. (feta amb MicroProcessadors)

3.- Memòria cau o cache (feta amb MicroProcessadors)

4.- BIOS (la farem al NF7)

5.- CMOS (la farem al NF7)

6.- Memòria virtual

1.- La memòria principal (també anomenada memòria interna, memòria central i, de manera més inexacta, memòria RAM).

RAM:

Pel que fa a què és memòria RAM i quina és la seva funció, la memòria RAM és el component d'un dispositiu electrònic que s'encarrega d'emmagatzemar les dades i instruccions temporalment. Així que quan el dispositiu s'apaga, les dades s'esborren

2.- Registres interns del processador:

Volàtils i al ubicades al mateix processador.

3.- Memòria cau o cache:

Volàtil i a mig camí entre registre intern i RAM

4.- BIOS:

No Volàtil. Ubicada en un xip a la placa base

5.- CMOS:

Volàtil, però manté les dades gràcies a la pila.

- Classificació segons la Tecnologia

Les memòries també es poden classificar segons la tecnologia que utilitzen:

Híbrides:

NVRAM

Flash (BIOS actuals)

EEPROM

RAM:

SRAM (Registres interns, cache)

DRAM: (memòria principal)

SD SDRAM

RDRAM

DDR,DDR2 i DDR3

ROM (BIOS antigues)

PROM

EPROM

CONCEPTES CLAU

Capacitat:Que representa el volum global d’informació (en bytes) que la memòria pot emmagatzemar.

Temps d’accés: Que correspon al interval de temps entre la sol·licitud de lectura/escriptura i la disponibilitat de les dades.

Temps de cicle: Que representa el interval de temps mínim entre dos accessos successius o freqüència de treball, que correspon a la inversa del valor anterior.

Rendiment: Que defineix el volum d’informació intercanviat per unitat de temps, expressat en bits per segon.

TIPUS DE MEMORIA

Mòduls SIMM: És un format usat en ordinadors antics que tenien un bus de dades de 16 o 32 bits.

Mòduls DIMM: Usat en ordinadors d'escriptori; es caracteritzen per tenir un bus de dades de 64 bits.

Mòduls SO-DIMM: Usat en ordinadors portàtils; és un format miniaturitzat de DIMM.

DDR (double data rate)

S’haurien de dir-se SDRAM DDR, perquè també són memòries síncrones. Van desbancar a les memòries SD SDRAM i van impedir que triomfessin les memòries Rambus.

PC-3200 DDR-400 1GB: és una memòria DDR de 1 GB de capacitat que funciona a una freqüència efectiva de 400 MHz (freqüència real=200MHz).

DDR2:

·Imcompatibles amb les DDR

·Mòduls DIMM de 240 contactes

·Capacitat màxima és de 2GB per mòdul

·4 operacions per cicles

DDR3 SDRAM.

Voltatge: 1,5 V (Menys Consum).

Els mòduls DIMM DDR 3 tenen 240 pins, El mateix número que DDR2 són físicament incompatibles, degut a una ubicació diferent de l'osca.

El límit màxim de la capacitat de memòria per placa 128GB

DDR4 SDRAM: és una abreviatura de les sigles en anglès Double Data Rate type four Synchronous Dynamic Random-Access Memory (memòria d'accés aleatori dinàmic síncron de quarta generació de velocitat de dades doble).

DDR5 SDRAM

- Fine grain refresh feature: l’actualització del banc millora la latència del dispositiu de 16 Gbps. Millor rendiment ja que permet que alguns bancs s’actualitzin mentre d’altres estan en ús.

- On-die ECC i altres funcions d'escalat permeten la fabricació en nodes de procés avançat.

- Ús de l’especificació bàsica MIPI Alliance I3C per al bus de gestió del sistema.

tRCD: demora RAS cap CAS . És el temps que triga entre desactivar l'accés a una línia de dades i el començament de l'accés a una altra línia de dades.

CMD: Taxa d'ordres . És el temps que passa des de l'activació del xip de memòria fins que pugui ser enviat el primer ordre a memòria.

TRAS: Retard d'activació a precàrrega (Active to PRECHARGE Delay). Serà el temps que li prendrà a la memòria esperar fins que el següent accés a memòria pugui ser iniciat.

Single Channel

El bus de dades de la memòria es compartit entre tots els slots de memòria. Els busos de direcció i control activaran el sòcol de memòria adequat, depenent de la direcció des d'on les dades han de ser emmagatzemats o llegides

Tecnologies associades a la memòria

A dual channel hi ha 128 connexions i com que cada mòdul accepta 64 bits de cop, necessitem 2 mòduls per omplir el bus de dades de 128.

És molt important tenir en compte que aquest augment de rendiment

Mode Flexible: Si no disposem de la mateixa quantitat de memòria en cada canal, però el nostre chipset suporta el mode flexible, és possible encara aprofitar una part de la memòria en Dual Channel. Aquí, aprofitem 1GB en Dual Channel (512 MB canal A DIMM 0 + 512 MB canal B DIMM 0) i 512 en simple channel (512 MB restantes en el canal B DIMM 0).

Tecnologies associades a la memòria

Això es fa mitjançant l'ampliació del bus de dades de memòria de 256 bits, la qual cosa s'aconsegueix mitjançant l'accés a quatre mòduls de memòria a la vegada. S'han de tenir quatre mòduls de memòria totalment idèntics. Es podran utilitzar fins a vuit mòduls de memòria a les plaques base que tinguin vuit sòcols de memòria, i cada grup de quatre mòduls poden tenir diferents capacitats, però els mòduls a l'interior del mateix grup han de ser idèntics.